格科GC50F0荣获2026强芯“立异冲破奖”，全世界首颗0.64μm单芯片5000万像素CIS量产验证 发布时间：2026-08-21 来历：转载 责任编纂：Lily 【导读】高像素CIS的像素微缩与集成度晋升连续驱动技能演进，单芯片方案需于噪声、感光与速率上到达划一水准。8月20日，2026强芯TOP100榜单于南京ICDIA创芯年夜会发布，格科GC50F0——全世界首颗0.64μm单芯片5000万像素CMOS图象传感器，荣获“立异冲破奖”。本文从单芯片架构、工艺协同和财产化三方面解析其技能冲破。 “2026中国强芯评比”由中国集成电路设计立异同盟构造开展，旨于挑选具备技能竞争力及运用价值的国产IC产物。此中，“立异冲破奖”重点表扬于芯片技能或者运用方面取患上庞大冲破，并已经量产上市、颠末市场验证的产物。 GC50F0是全世界首颗0.64μm单芯片5000万像素CMOS图象传感器，光学尺寸1/2.8 ，可适配主摄、超广角、长焦和前置摄像头，并撑持DAG HDR、相位对于焦（PDAF）和4K 60fps视频录制。 单芯片架构立异，冲破高像素集成难题 区分在行业主流仓库架构，GC50F0采用格科自立立异的单芯片集成架构，经由过程工艺与电路设计立异，冲破高像素CIS单晶圆集成的工艺挑战，并优化噪声体现和电源抗滋扰能力，将高像素单芯片技能线路进一步拓展至0.64μm小像素5000万像素产物。 设计与制造协同，霸占小像素焦点挑战 跟着像素尺寸连续缩小，CIS于像素断绝、感光及晶体管机能等方面面对更高挑战。依托自有12英寸Fab与GalaxyCell®特点工艺，GC50F0于0.64μm小像素下实现了感光、噪声与高速读出机能的综合优化。 GC50F0经由过程优化光电二极管之间的离子注入工艺和深沟槽断绝设计，加强像素距离离能力；于感光机能方面，经由过程增长硅厚度改善光接收率，晋升小像素敏捷度；同时，改善晶体管的沟道界面质量，优化噪声程度及高速读出能力，统筹高画质与高帧率需求。 基在上述技能立异，读出噪声及随电机报旌旗灯号噪声相较同规格产物降低约50%，有用晋升信噪比，改善暗光成像的细节体现。 今朝，GC50F0已经得到国际知名手机品牌客户定单并进入量产阶段，技能立异得到市场验证。 这次荣获“立异冲破奖”，是行业对于GC50F0技能立异与财产化能力的承认。将来，格科将连续推进CIS焦点技能立异与产物迭代，拓展高像素产物的运用场景与市场空间。 GC50F0证实单芯片架构于0.64μm标准上可实现量产级高像生性能。其经由过程单芯片集成与12英寸特点工艺，于像素断绝、感光和噪声优化上体系冲破，读出噪声较同规格降低约50%，已经获国际品牌定单并量产。该产物为格科打开旗舰CIS市场空间，也为国产高像素传感器从替换走向立异提供了参照。 
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