意法半导体推出新型电断绝栅极驱动器，借助进步前辈断绝技能简化电源设计

发布时间：2026-08-11 来历：转载 责任编纂：Lily

【导读】2026年8月7日，中国——意法半导体（STMicroelectronics）扩大了 STGAP3S 栅极驱动器系列，该系列采用加强型电断绝设计，晋升靠得住性；这次推出的是一款高效且经济的 3A 驱动能力产物，合用在需要较低驱动电流的电路。新产物 STGAP3S3S 针对于碳化硅（SiC）MOSFET 举行了优化，而 STGAP3S3IF 则合用在 IGBT。

所有 STGAP3S 驱动器都可于高达 1200V 的高压母线电路中事情，合用在功率因数校订（PFC）、电源、DC/DC 转换器及逆变器等运用。包括 UL 1577 及 IEC 60747-17 于内的国际安全与绝缘认证，自力验证了其强断绝机能、安全运行能力以和于高电压下持久靠得住的体现。典型运用包括充电站、储能体系（ESS）、太阳能逆变器、叉车等工业电动车、感到加热装备，以和通用驱动、泵及风机等。

意法半导体进步前辈的增强绝缘断绝技能可掩护功率级电路免受高达 9.6kV 的瞬态滋扰，并确保高达 200V/ns 的共模瞬态抗扰度（CMTI）。该系列包罗三种驱动能力版本，别离可提供最高 10A、6A 及新增长的 3A 灌/拉电流能力，每一种版本均配有针对于 IGBT 及碳化硅 MOSFET 优化的型号。

全新的 STGAP3S3 系列具备 3A 驱动能力，集成自动米勒钳位功效，包括钳位 MOSFET，可避免功率开关发生不但愿的感到导通，从而防止纵贯电流。集成 MOSFET 可节省 PCB 空间、简化电路设计并降低物料清单成本，同时于高达 3A 的栅极驱动前提下仍能提供适合的钳位机能。6A 的 STGAP3S6 及 10A 的 STGAP3SX 系列则内置用在外部 MOSFET 的预驱动器，可于高栅极驱动电流体系中为钳位速率优化提供更年夜的矫捷性。

所有 STGAP3S 驱动器都具有去饱及检测及软关断功效，以确保电压及电流的受控转换，从而于伤害的过载或者短路环境下掩护功率开关。6A 及 10A 驱动器，以和面向 SiC MOSFET 的新款 3A 驱动器，答应设计职员毗连外部电阻，以优化软关断速率。

所有器件都配有诊断引脚，可唆使去饱及掩护、欠压锁定（UVLO）及过热关断是否处在激活状况。驱动器撑持负栅极电压，可进一步加强对于误导通的按捺，于妨碍关断时期掩护器件，并确保于正常关断历程中实现稳健开关且无振铃。

每一款 STGAP3S 驱动器都提供评估板，包括最新的 3A 型号。这两款评估板 EVLSTGAP3S3S 及 EVLSTGAP3S3IF 均为半桥板，已经预先配置好掩护功效，并提供测试点及诊断 LED 以辅助开发。

完备的 STGAP3S 系列现已经量产，可用在驱动 IGBT 及 SiC MOSFET，包括 STGAP3S三、STGAP3S6 及 STGAP3SX 系列。